چاپ مقاله‌ی اعضا گروه پژوهشی فناوری خلأ سازمان جهاددانشگاهی صنعتی شریف در یک مجله بین‌المللی

توسط  علی آرمان، قاسم امرایی‌راد، محسن بنجخی و همچنین مریم صالحی و فاطمه حافظی از اعضا گروه پژوهشی فناوری خلأ سازمان جهاددانشگاهی صنعتی شریف نگارش شده است.

در چکیده این مقاله آمده است:
امروزه با توجه به نیاز صنعت به استفاده از مواد در مقیاس نانو/میکرو، علاقه‌مندی به توسعه روش‌های جدید سازگار با محیط زیست برای تهیه ساختارهای دقیق سیلیکونی با کیفیت بالا بوجود آمده است. در این پژوهش، با طراحی و ساخت سیستم زدایش با استفاده از یون فعال (DRIE) ، طرحی ایجاد شده بر روی یک ویفر سیلیکونی نوع P، تا عمق 30 میکرون زدایش گردید. بدین صورت که با ایجاد پلاسما ناشی از گازهای SF6/H2 و کنترل جریان ورودی گازها، عمل زدایش از سطح سیلیکون بصورت شیمیایی و فیزیکی انجام شد. همچنین مشاهده گردید که هنگام عمل زدایش ساختارهای علفزارگونه‌ای، که Black Silicon نامیده می‌شوند، شکل گرفته، که این ساختارها نیز کاربردهای وسیعی در صنعت می‌توانند داشته باشند.

Due to the growing industrial need to use nano‐ and microscale materials, there is great interest in developing new environmentally friendly methods to provide precise silicon structures of high quality. In the study presented here, we succeeded in patterning a p‐type silicon wafer to a depth of about 30 micrometers using a custom‐built reactive deep etching (DRIE) system. Using this combination of physical and chemical ablation methods, it was found from variations in H2 and SF6 gas flows that the ablation rate can be altered by controlling the H2 gas flow during the etching process and thereby creating a protective layer. Accordingly, other silicon structures with controlled density and structure, including black silicon, can be fabricated using the presented method. These structures can be tested for use in various applications.​